一種超結(jié)IGBT器件結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811251706.X 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN109300978A 公開（公告）日 2019-02-01
申請公布號(hào) CN109300978A 申請公布日 2019-02-01
分類號(hào) H01L29/06;H01L21/336;H01L29/739 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李菲;李欣;禹久贏;任留濤;劉鐵川 申請（專利權(quán)）人 上海超致半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 上海超致半導(dǎo)體科技有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蔡倫路1690號(hào)2號(hào)樓405室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種超結(jié)IGBT器件，包括：第一導(dǎo)電類型襯底；設(shè)置在所述第一導(dǎo)電型襯底上的第二導(dǎo)電類型外延層；設(shè)置在所述第二導(dǎo)電類型外延層內(nèi)的第一導(dǎo)電類型柱形擴(kuò)散區(qū)；第一導(dǎo)電類型阱區(qū)，所述第一導(dǎo)電類型阱區(qū)與所述第一導(dǎo)電類型柱形擴(kuò)散區(qū)通過一浮空區(qū)隔離；設(shè)置在所述第一導(dǎo)電類型阱區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)；第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)；以及柵極。