一種氮化硼納米片@碳化硅納米線異質(zhì)填料及制備方法和環(huán)氧樹脂導(dǎo)熱復(fù)合材料及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110066640.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112759790B 公開（公告）日 2022-07-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN112759790B 申請(qǐng)公布日 2022-07-01
分類號(hào) C08K3/38（2006.01）I;C08K3/34（2006.01）I;C08L63/00（2006.01）I 分類 有機(jī)高分子化合物；其制備或化學(xué)加工；以其為基料的組合物;
發(fā)明人 顧軍渭;韓懿鑫;郭永強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西北工業(yè)大學(xué)深圳研究院
代理機(jī)構(gòu) 北京高沃律師事務(wù)所 代理人 -
地址 518051廣東省深圳市南山區(qū)科技園高新南四道19號(hào)虛擬大學(xué)園A311室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及納米材料技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種氮化硼納米片@碳化硅納米線異質(zhì)填料的制備方法。本發(fā)明通過原位生長(zhǎng)法在氮化硼納米片上原位生長(zhǎng)碳化硅納米線，構(gòu)筑制備“鳥巢狀”異質(zhì)結(jié)構(gòu)，這種特殊形貌的異質(zhì)結(jié)構(gòu)使其在作為導(dǎo)熱填料使用時(shí)，更易在環(huán)氧樹脂基體中搭接形成高效的導(dǎo)熱通路，可以在添加少量填料的情況下提高環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱性能；同時(shí)導(dǎo)熱填料之間基于化學(xué)鍵合作用也有效避免更多界面熱障的引入和導(dǎo)熱填料團(tuán)聚現(xiàn)象的發(fā)生，可以進(jìn)一步提高環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，本發(fā)明提供的方法制備的氮化硼納米片@碳化硅納米線異質(zhì)填料與環(huán)氧樹脂復(fù)合得到的導(dǎo)熱復(fù)合材料的熱導(dǎo)率高達(dá)1.17W/mK，能夠大幅度地提高環(huán)氧樹脂的熱導(dǎo)率。