一種提升背面金屬化質(zhì)量的晶圓蒸發(fā)盤

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120353426.0 申請日 -
公開（公告）號 CN214612740U 公開（公告）日 2021-11-05
申請公布號 CN214612740U 申請公布日 2021-11-05
分類號 C23C14/50（2006.01）I;C23C14/24（2006.01）I;H01L21/285（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 徐占勤;王德波;陳鵬捷 申請（專利權）人 江蘇新順微電子股份有限公司
代理機構 江陰市輕舟專利代理事務所（普通合伙） 代理人 孫燕波
地址 214400江蘇省無錫市江陰市高新區(qū)長山大道78號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種提升背面金屬化質(zhì)量的晶圓蒸發(fā)盤，屬于集成電路或分立器件制造技術領域。包括蒸發(fā)盤本體，所述蒸發(fā)盤本體上表面開設置物槽，所述蒸發(fā)盤本體上套有TFL環(huán)，且所述TFL環(huán)設于置物槽上部，所述TFL環(huán)上設有晶圓，所述TFL環(huán)與晶圓為線接觸。所述置物槽的縱截面為漏斗型。所述TFL環(huán)的上環(huán)面為向內(nèi)傾斜的斜面結(jié)構件。本申請中蒸發(fā)盤本體上套設TFL環(huán)，晶圓放于TFL環(huán)上，且晶圓與TFL環(huán)線接觸，減小了晶圓與TFL環(huán)的接觸面積，提高了晶圓的利用率；由于TFL質(zhì)地較軟，避免了晶圓正面管芯與蒸發(fā)盤本體置物槽的摩擦，避免了晶圓正面管芯壓擦傷，提高了產(chǎn)品良率。