一種K空穴摻雜的多晶SnSe及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610317305.4 申請日 -
公開（公告）號 CN105977372A 公開（公告）日 2016-09-28
申請公布號 CN105977372A 申請公布日 2016-09-28
分類號 H01L35/16(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何佳清;陳躍星;葛振華;尹美杰;馮丹 申請（專利權(quán)）人 深圳熱電新能源科技有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 南方科技大學(xué);深圳熱電新能源科技有限公司
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)西麗學(xué)苑大道1088號南方科技大學(xué)第二科421
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種K空穴摻雜的多晶SnSe及其制備方法，屬于能源材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的方法通過以高純的Sn、K和Sn單質(zhì)為原料，將原料通過改進(jìn)的機械合金化方法制備成化合物粉體，然后通過放電等離子燒結(jié)的方法，并調(diào)節(jié)機械合金化方法以及放電等離子燒結(jié)的工藝參數(shù)，實現(xiàn)了鉀元素的有效摻雜，制備得到K空穴摻雜的多晶SnSe，其中，Sn、K和Se的原子比為Sn:K:Se＝1?x:x:1，0＜x≤0.1，其具有低的熱導(dǎo)率、高的載流子濃度、高的功率因子和ZT值，熱導(dǎo)率在773K可低至0.20W/mK，最高功率因子和最高熱電優(yōu)值ZT分別高達(dá)350μW/mK2和1.08，優(yōu)化了熱電性能，而且本發(fā)明的方法具有工藝簡便、成本低和實用性強等優(yōu)點。