一種低電感SiC模塊布局

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110397735.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113380749A 公開（公告）日 2021-09-10
申請公布號 CN113380749A 申請公布日 2021-09-10
分類號 H01L23/495（2006.01）I;H01L25/07（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 聶鵬;牛平安;成浩;趙沖 申請（專利權(quán)）人 南京銀茂微電子制造有限公司
代理機構(gòu) 南京智造力知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 汪麗紅
地址 211200江蘇省南京市溧水經(jīng)濟開發(fā)區(qū)秀山西路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低電感SiC模塊布局，其中正極端子、負極端子、輸出端子沿模塊縱軸縱向排列并且其中每個端子只有一個端子頭部作為客戶端安裝接口，正極端子和負極端子每個分出若干端腳，正極端子和負極端子的相應(yīng)端腳交錯排列，一個正極端子端腳和一個負極端子端腳形成端腳對，每一個端腳對負責(zé)一個電流回路區(qū)，每個電流回路區(qū)包含相對應(yīng)的兩個SiC芯片和兩個二極管芯片以及若干綁定線，若干個電流回路區(qū)沿模塊縱軸排列。本發(fā)明設(shè)計的半橋多芯片功率模塊封裝的不同布局結(jié)構(gòu)，有效地降低了總寄生電感。在不增加任何制造難度的情況下，所提出的布局可以實現(xiàn)較低的開關(guān)損耗、較低的關(guān)斷過電壓和較低的電磁干擾。