具有降低的結(jié)溫的功率模塊及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810194280.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110246808B 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN110246808B 申請公布日 2021-08-10
分類號 H01L23/13;H01L23/535;H01L21/50 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 莊偉東;姚二現(xiàn) 申請（專利權(quán)）人 南京銀茂微電子制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹成俊
地址 211200 江蘇省南京市溧水經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)秀山西路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有降低的結(jié)溫的功率模塊及其制造方法，所述功率模塊的結(jié)構(gòu)包括上DBC層、功率芯片層、下DBC層及散熱器，上DBC層自上而下依次包括上銅箔層、上陶瓷層、上線路層，功率芯片層包括功率芯片、鍵合金屬片及引線金屬片，下DBC層自上而下依次包括下線路層、下陶瓷層、下銅箔層，散熱器直接與下銅箔層接觸，功率芯片直接鋪設(shè)在下線路層上，上線路層與功率芯片接觸，功率芯片通過鍵合金屬片和上線路層進(jìn)行相互之間的連接并且最終通過引線金屬片連接到信號端子和功率端子。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可以有效降低芯片運(yùn)行時的結(jié)溫，適合于硅和化合物半導(dǎo)體功率模塊。