一種小發(fā)散角N型共陰極MicroLED器件及其陣列

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111241713.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113838961A 公開（公告）日 2021-12-24
申請公布號 CN113838961A 申請公布日 2021-12-24
分類號 H01L33/60（2010.01）I;H01L33/58（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I;H01L27/15（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫雷;張婧姣 申請（專利權(quán)）人 南京數(shù)字光芯科技有限公司
代理機構(gòu) 北京沁優(yōu)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 周慶路
地址 100000北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)中和街14號2幢2層A2079號（集中辦公區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種小發(fā)散角N型共陰極Micro LED器件及其陣列，小發(fā)散角N型共陰極Micro LED器件包括像素電極和發(fā)光顆粒，所述發(fā)光顆粒為采用垂直結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光二極管微粒，所述發(fā)光顆粒包括N型半導體、P型半導體和設置在二者之間的發(fā)光量子阱，所述像素電極與所述P型半導體相連接，所述N型半導體與外部陰極電極相連接，且所述發(fā)光顆粒的側(cè)邊設置有絕緣隔離結(jié)構(gòu)，收斂發(fā)散角，絕緣隔離結(jié)構(gòu)采用絕緣材料或絕緣氣體或絕緣膜層中的一種或多種的組合，用于隔離若干相鄰的隔離部、P型半導體和發(fā)光量子阱。本發(fā)明通過將MicroLED顆粒本身的N型半導體層代替單獨制作的陰極電極，提高了出光效率。