一種光伏材料及其制備方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201510489479.4 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN105039909A | 公開(公告)日 | 2015-11-11 |
| 申請公布號 | CN105039909A | 申請公布日 | 2015-11-11 |
| 分類號 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C01B19/00(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 劉芳洋;高春暉;蔣良興;趙聯(lián)波;曾芳琴 | 申請(專利權(quán))人 | 湖南銥太科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 長沙市融智專利事務所 | 代理人 | 顏勇 |
| 地址 | 410083 湖南省長沙市岳麓區(qū)岳麓街道麓山南路966號第7棟第二層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種光伏材料及其制備方法;特別涉及一種硒硫化銻薄膜材料及其制備方法,屬于新能源材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述光伏材料的化學式為Sb2(SxSe1-x)3,其中x的取值范圍為0<x<1。其制備方法為:先在基底上通過濺射的方法制備硫化銻預制層,在一定條件下進行硒化退火,得到硒硫化銻薄膜材料。本發(fā)明首次設計并提出濺射硫化銻預制層后硒化制備硒硫化銻半導體薄膜材料的方法,制備出的硒硫化銻薄膜材料結(jié)晶性好、成分可控,薄膜的致密度高、體積膨脹小,避免現(xiàn)有方法制備半導體薄膜材料過程中存在的成分不易控制、均勻性欠佳及易產(chǎn)生不利雜相等問題,且該方法對設備的要求不高,易于實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,在生產(chǎn)中可以大規(guī)模推廣。 |





