一種具有多膜塊透明導電層的GaN基發(fā)光二極管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210485519.4 申請日 -
公開（公告）號 CN105118906A 公開（公告）日 2015-12-02
申請公布號 CN105118906A 申請公布日 2015-12-02
分類號 H01L33/42(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 武勝利;肖志國;劉琦;閆曉紅;李倩影;唐勇 申請（專利權）人 大連路美芯片科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 116600 遼寧省大連市開發(fā)區(qū)黃海大道1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有多膜塊透明導電層的GaN基發(fā)光二極管及其制作方法。發(fā)光二極管中發(fā)光平臺表面的ITO透明導電層是各自獨立的膜塊，它們之間由Ni/Au導電材料連接起來，分立的透明導電膜塊之間的距離是6-20μm，導電介質(zhì)可以是NiAu、ZnO，起到導通ITO膜塊的作用。通過制備多膜塊的透明導電層，可以降低大尺寸芯片整體ITO導電層的應力，改善芯片在長時間電流作用下ITO材料與GaN接觸特性變差的情況。