半導體器件及其制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201010226347.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN102315262B | 公開（公告）日 | 2013-11-20 |
| 申請公布號 | CN102315262B | 申請公布日 | 2013-11-20 |
| 分類號 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 范愛民 | 申請（專利權(quán)）人 | 西安能訊微電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京市中咨律師事務所 | 代理人 | 西安能訊微電子有限公司;蘇州能訊高能半導體有限公司 |
| 地址 | 710075 陜西省西安市高新區(qū)高新一路25號創(chuàng)新大廈N701 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導體器件及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個方面的半導體器件，包括：在襯底上的半導體層；在上述半導體層上的隔離層；在上述隔離層上的鈍化層；與上述半導體層電氣相通的源極和漏極；以及在上述隔離層上的柵極；其中，上述柵極包括下部、中部和上部，上述下部和/或上述中部構(gòu)成場板結(jié)構(gòu)。 |
