應用于Micro-LED的外延片結構、其制作方法及包括其的LED芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811162087.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109103351A 公開（公告）日 2018-12-28
申請公布號 CN109103351A 申請公布日 2018-12-28
分類號 H01L51/56;H01L51/50 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 施松剛 申請（專利權）人 浙江老鷹半導體技術有限公司
代理機構 杭州裕陽聯(lián)合專利代理有限公司 代理人 浙江老鷹半導體技術有限公司
地址 311800 浙江省紹興市諸暨市陶朱街道展誠大道82號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種應用于Micro?LED的外延片結構，包括由襯底表面向外依次設置的GaN緩沖層、U型GaN層、N型GaN層和P型GaN層，所述N型GaN層為第一柱狀結構，所述P型GaN層為第二柱狀結構，所述第一柱狀結構和所述第二柱狀結構之間設有溝槽，所述溝槽裸露出所述U型GaN層，本發(fā)明中通過外延生長出N型GaN層和P型GaN層，所述N型GaN層為第一柱狀結構，所述P型GaN層為第二柱狀結構，這樣的結構在后期旋涂有機發(fā)光層之后，這樣可以提高整個外延片的波長的均勻性和一致性，極大拓展了Micro?LED的應用和實現(xiàn)。