一種含Ti3SiC2界面層的SiCf/SiC復(fù)合材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811524818.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109467450B 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN109467450B 申請公布日 2021-09-24
分類號 C04B35/80;C04B35/573 分類 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
發(fā)明人 黃小忠;王春齊;唐云;彭立華 申請（專利權(quán)）人 湖南澤睿新材料有限公司
代理機構(gòu) 長沙市融智專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 魏娟
地址 410000 湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)文軒路518號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種含Ti3SiC2界面層的SiCf/SiC復(fù)合材料的制備方法，采用磁控濺射的方法對SiC纖維編織件進行沉積Ti3SiC2，獲得含Ti3SiC2界面層的SiC纖維編織件，然后通過樹脂浸漬碳化獲得SiCf/C多孔體，再通過氣相滲硅獲得SiCf/SiC復(fù)合材料；所述磁控濺射為先采用TiC靶進行磁控濺射，在SiC纖維束或SiC纖維編織件表面獲得0.1～0.2μm的TiC過鍍層，然后再采用TiC靶材與Si靶雙靶共濺射獲得Ti3SiC2，所述Ti3SiC2的厚度控制為0.6～1.0μm；本發(fā)明首創(chuàng)的采用磁控濺射的方法獲得了含Ti3SiC2界面層的SiCf/SiC復(fù)合材料，有效降低了沉積溫度，避免了纖維的損傷，所得界面層在抗氧化性能方面優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)常用的C、BN等界面層。同時本發(fā)明采用非接觸式氣相滲硅法進行陶瓷化，有效的降低了密度梯度，且可保證100％的合格率。