一種聚甲基丙烯酸甲酯基底介質(zhì)增透膜及其制備方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202011408757.6 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN112553585A | 公開(公告)日 | 2021-03-26 |
| 申請公布號 | CN112553585A | 申請公布日 | 2021-03-26 |
| 分類號 | C23C14/22(2006.01)I;C23C14/30(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;G02B1/115(2015.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 謝雨江;原清海;林兆文;王奔 | 申請(專利權(quán))人 | 上海米蜂激光科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清大紫荊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 李思瓊;馮振華 |
| 地址 | 200136上海市浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)飛渡路55號3幢廠房A、B單元 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種聚甲基丙烯酸甲酯基底介質(zhì)增透膜及其制備方法,該增透膜的膜系結(jié)構(gòu)為:Sub/M/H/L/A;其中,Sub為PMMA基底層,M為Al2O3過渡層,H為Ta2O5高折射率膜層,L為SiO2低折射率膜層,A為空氣層。該制備方法中利用磁控濺射方式制備PMMA基底上的過渡層,使過渡層實(shí)現(xiàn)了基底與后續(xù)功能層的穩(wěn)定連接,同時(shí)利用電子束蒸發(fā)、離子束輔助方式制備功能層,極大地改善了后續(xù)功能層的應(yīng)力狀態(tài),有效的解決了PMMA基底與膜層熱膨脹系數(shù)差異導(dǎo)致的脫膜、機(jī)械強(qiáng)度低等問題。本發(fā)明制備的PMMA基底增透膜能夠在940nm波段獲得極高的透過率,具有可操作性強(qiáng)、制備工藝重復(fù)性好、產(chǎn)品質(zhì)量優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于光電系統(tǒng)等領(lǐng)域。?? |





