一種單晶金剛石激光打標(biāo)生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910434088.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110219044B 公開（公告）日 2021-07-06
申請公布號 CN110219044B 申請公布日 2021-07-06
分類號 C30B29/04;C30B25/02;C23C16/27;C23C16/02;B23K26/362 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 胡付生;王琦;張?zhí)祚?張軍恒;張軍安 申請（專利權(quán)）人 寧波晶鉆科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 胡擁軍;糜婧
地址 315200 浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市街道中官西路777號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單晶金剛石激光打標(biāo)生長方法，其包括以下步驟：（S1）提供單晶金剛石種晶；（S2）提供激光標(biāo)記設(shè)備，利用激光標(biāo)記設(shè)備在單晶金剛石種晶表面進(jìn)行標(biāo)記形成缺陷；（S3）清除進(jìn)行標(biāo)記過程中產(chǎn)生的雜質(zhì)；（S4）將標(biāo)記后的單晶金剛石種晶放入化學(xué)氣相沉積生長爐中，通入氫氣和甲烷，比例為100:2至100:5，將爐內(nèi)氣壓控制在10KPa～15KPa，控制爐內(nèi)單晶金剛石種晶溫度為700℃～800℃，生長時(shí)間大于10小時(shí)，以使得標(biāo)記形成的缺陷被覆蓋而不被填充，從而實(shí)現(xiàn)在單晶金剛石內(nèi)部形成標(biāo)記。本發(fā)明操作簡單，加工速度快，以一種經(jīng)濟(jì)有效的方案實(shí)現(xiàn)了在金剛石內(nèi)部進(jìn)行標(biāo)記，且做出的標(biāo)記通過放大鏡等放大設(shè)備或肉眼即可被觀察到。