單晶金剛石外延生長(zhǎng)方法、單晶金剛石及其片狀籽晶
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010931816.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112048760A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112048760A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-08 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B29/04(2006.01)I;C30B25/20(2006.01)I | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 張軍安 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 寧波晶鉆科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 寧波聚禾專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 寧波晶鉆工業(yè)科技有限公司 |
| 地址 | 315000浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市街道中官西路777號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開(kāi)了單晶金剛石外延生長(zhǎng)方法、單晶金剛石及其片狀籽晶。其中，單晶金剛石同質(zhì)外延生長(zhǎng)方法，包括以下步驟：S1.提供一單晶金剛石的片狀籽晶，片狀籽晶具有進(jìn)行生長(zhǎng)的頂面、與頂面相對(duì)的底面以及位于頂面與底面之間的側(cè)面，側(cè)面從底面到頂面向內(nèi)傾斜地延伸；S2.將片狀籽晶頂面朝上地設(shè)置在氣相合成設(shè)備的基臺(tái)上，然后采用氣相合成法在片狀籽晶上進(jìn)行同質(zhì)外延生長(zhǎng)。本申請(qǐng)采用側(cè)面為傾斜面的片狀籽晶進(jìn)行外延生長(zhǎng)，使得外延生長(zhǎng)較為容易，且生長(zhǎng)時(shí)不易產(chǎn)生多晶，此外，由于生長(zhǎng)后得到的單晶金剛石的側(cè)面仍為傾斜面，因此可以在一次外延生長(zhǎng)后再進(jìn)行多次外延生長(zhǎng)，從而獲得較大尺寸的單晶金剛石。?? |
