一種背照式光電探測(cè)單元和光電探測(cè)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202121689645.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN215342601U 公開（公告）日 2021-12-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN215342601U 申請(qǐng)公布日 2021-12-28
分類號(hào) H01L27/146（2006.01）I;H01L31/02（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱春艷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市靈明光子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市深佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳彥如
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道福光社區(qū)留仙大道3370號(hào)南山智園崇文園區(qū)3號(hào)樓1201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種背照式光電探測(cè)單元，包括至少一個(gè)單光子雪崩二極管，位于單光子雪崩二極管摻雜區(qū)表面的輸出金屬和反射金屬，輸出金屬與單光子雪崩二極管的輸出連接，反射金屬和輸出金屬屬于同層金屬，反射金屬位于與單光子雪崩二極管PN結(jié)對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)。本申請(qǐng)?jiān)趩喂庾友┍蓝O管摻雜區(qū)表面設(shè)置輸出金屬和反射金屬，反射金屬和輸出金屬屬于同層金屬，可以同時(shí)制作出來，簡化背照式光電探測(cè)單元的制作工藝；反射金屬位于單光子雪崩二極管PN結(jié)對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，當(dāng)光線射入后，反射金屬可以將未被PN結(jié)捕獲的光子反射到PN結(jié)上，增強(qiáng)背照式光電探測(cè)單元的反射效果，提升背照式光電探測(cè)單元的光子檢測(cè)效率。本申請(qǐng)還提供一種光電探測(cè)器。