有源移相器、相控陣設(shè)備及芯片
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202122324726.9 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN216056956U | 公開(公告)日 | 2022-03-15 |
| 申請公布號 | CN216056956U | 申請公布日 | 2022-03-15 |
| 分類號 | H03H11/16(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 黃光銳;宣凱;郭嘉帥 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳飛驤科技股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 深圳君信誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 劉偉 |
| 地址 | 518057廣東省深圳市南山區(qū)南頭街道大汪山社區(qū)南光路286號水木一方大廈1棟1601 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型提供了一種有源移相器,包括輸入巴倫、正交生成器、矢量合成器、一級緩沖器以及輸出巴倫,所述矢量合成器包括I路差分單元組和Q路差分單元組,所述I路差分單元組包括n個I路差分單元,所述Q路差分單元組包括n個Q路差分單元,所述I路差分單元和所述Q路差分單元均為具有兩路輸入端和兩路輸出端的差分對電路構(gòu)成;所述一級緩沖器用于提高矢量合成器輸出的信號的增益,并屏蔽所述輸出巴倫的輸出端阻抗變化對所述矢量合成器的移相精度的影響。本實用新型還提供了一種相控陣設(shè)備和芯片。采用本實用新型的技術(shù)方案的電路簡單、差分對電路的電壓裕度高且線性度高。 |





