在不同晶向下均具有垂直磁各向異性的柔性自支撐鈣鈦礦氧化物單晶薄膜及其制備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110586628.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113322511B 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN113322511B 申請公布日 2022-07-01
分類號 C30B23/02（2006.01）I;C30B29/22（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/28（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I;CN 112047298 A,2020.12.08;CN 111270306 A,2020.06.12;CN 111733452 A,2020.10.02;CN 108517555 A,2018.09.11;US 2004238866 A1,2004.12.02 Li, Zengjie等.Atomic Layer and Interfacial Oxygen Defect Tailored Magnetic Anisotropy and Dzyaloshinskii-Moriya Interaction in Perovskite SrRuO3/SrTiO3 Heterostructures.《ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS》.2020,第2卷（第8期）, 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 聞利杰;楊永杰;蘆增星;汪志明;郝險峰;郭媛媛 申請（專利權）人 遼寧科技大學
代理機構 杭州天勤知識產權代理有限公司 代理人 -
地址 315201浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)中官西路1219號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種在不同晶向下均具有垂直磁各向異性的柔性自支撐鈣鈦礦氧化物單晶薄膜及其制備方法，包括：在晶向為[001]、[110]或[111]的襯底上依次制備可溶性犧牲層薄膜、SrRuO3單晶薄膜和柔性材料，然后溶解掉可溶性犧牲層薄膜進行柔性轉移，得到在不同晶向下均具有垂直磁各向異性的柔性自支撐鈣鈦礦氧化物單晶薄膜。該方法為堆垛制備出不同晶向、且具有垂直磁各向異性的柔性氧化物異質結構，提供了一種可行的方法，對柔性鈣鈦礦氧化物薄膜在器件上的應用有著重要的意義。