一種具有雙面散熱的半導(dǎo)體器件及其封裝方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910478080.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110335821B 公開（公告）日 2021-07-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN110335821B 申請(qǐng)公布日 2021-07-09
分類號(hào) H01L21/48;H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/495 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜峰;朱正宇;邢衛(wèi)兵 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 通富通科（南通）微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李慶波
地址 226000 江蘇省南通市崇川路288號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種具有雙面散熱的半導(dǎo)體器件及其封裝方法，該封裝方法包括：在第一散熱板的第一表面形成第一焊料層以及在第二散熱板的第三表面上形成第二焊料層；在第一焊料層和/或第二焊料層上設(shè)置芯片；將第一引線框架和第二引線框架分別與第一焊料層和第二焊料層未被芯片覆蓋的區(qū)域連接；將第一引線框架和第二引線框架相對(duì)固定設(shè)置，第一散熱板與第二散熱板之間具有預(yù)設(shè)距離；在第一引線框架和第二引線框架之間的區(qū)域形成塑封層；切割掉相鄰第一散熱板之間的塑封層、第一引線框架以及第二引線框架，以獲得單顆半導(dǎo)體器件。通過(guò)上述方式，本申請(qǐng)能夠提升散熱板上可設(shè)置芯片的區(qū)域面積。