相變化存儲(chǔ)器及其制造方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010093033.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN113270545A | 公開(公告)日 | 2021-08-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113270545A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-17 |
| 分類號(hào) | H01L45/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉峻志;廖昱程;李承翰;邱青松 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐金國(guó) |
| 地址 | 223300 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長(zhǎng)江東路601號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種相變化存儲(chǔ)器,包含下電極、加熱器、相變化層以及上電極。下電極包含電性接觸的導(dǎo)電芯層以及熱阻層,且熱阻層圍繞導(dǎo)電芯層的外側(cè)面周圍。加熱器耦接于下電極,相變化層耦接于加熱器,且上電極耦接于相變化層。 |





