整片制作省隔離器邊發(fā)射激光器芯片的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911200851.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111129945B 公開（公告）日 2021-06-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN111129945B 申請(qǐng)公布日 2021-06-18
分類號(hào) H01S5/028;H01S5/22 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱洪亮;黃永光 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 河南仕佳光子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 鄭州優(yōu)盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭園
地址 458030 河南省鶴壁市淇濱區(qū)國(guó)家經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)延河路201號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種整片制作省隔離器邊發(fā)射激光器芯片的方法，包括如下步驟：在晶圓襯底上依次外延生長(zhǎng)緩沖層和有源波導(dǎo)層；以激光器芯片腔長(zhǎng)為周期，腐蝕有源波導(dǎo)層端部，制作無波導(dǎo)區(qū)；在有源波導(dǎo)層上制作分布反饋光柵，在無波導(dǎo)區(qū)和分布反饋光柵上作二次外延層生長(zhǎng)；在二次外延層上刻制橫向和縱向交叉排列的刻蝕凹槽和脊形波導(dǎo)；在晶圓表面生長(zhǎng)絕緣介質(zhì)層制作正面電極，將襯底背面減薄，在襯底上制作背面電極；在晶圓上整片蒸鍍端面介質(zhì)膜；在線測(cè)試激光器芯片特性，解理出激光器芯片。本發(fā)明摒棄了傳統(tǒng)的巴條解理、裝架鍍膜和再解理測(cè)試的繁雜步驟，實(shí)現(xiàn)了激光器芯片的整片鍍膜和在線測(cè)試篩選，降低了激光器芯片的制作、測(cè)試和耦合封裝成本。