一種MOCVD反應腔測溫方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310655549.X 申請日 -
公開（公告）號 CN104697666B 公開（公告）日 2017-12-26
申請公布號 CN104697666B 申請公布日 2017-12-26
分類號 G01K13/00(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 嚴冬;馬鐵中;王林梓;劉健鵬;焦宏達 申請（專利權）人 昂坤視覺（北京）科技有限公司
代理機構 北京華沛德權律師事務所 代理人 北京智朗芯光科技有限公司;昂坤視覺（北京）科技有限公司
地址 102206 北京市昌平區(qū)昌平路97號新元科技園B座503室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種MOCVD反應腔測溫方法，屬于半導體制造技術領域。該方法包括獲得雙波長測溫結構的MOCVD反應腔的校準系數(shù)；測量實際熱輻射功率，將校準系數(shù)和實際熱輻射功率代入公式，計算得到MOCVD反應腔的溫度。該方法由于雙波長測溫結構的MOCVD反應腔經過校準，計算得到的MOCVD反應腔的溫度值更接近真值。