一種低電阻率微硼摻雜旋轉(zhuǎn)濺射硅靶材及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510180484.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104775097B 公開(kāi)（公告）日 2017-04-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN104775097B 申請(qǐng)公布日 2017-04-12
分類號(hào) C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C4/134(2016.01)I;C23C4/04(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 羅永春;曾墩風(fēng);羅建冬;王志強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門映日新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門市精誠(chéng)新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 方惠春
地址 241000 安徽省蕪湖市蕪湖經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)汽經(jīng)一路5號(hào)1-005
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種低電阻率微硼摻雜旋轉(zhuǎn)濺射硅靶材及其制備方法。其由0.03?0.5wt％的硼、99.4wt％?99.9wt％的硅及雜質(zhì)制備得到。本發(fā)明還保護(hù)了所述微硼濺射旋轉(zhuǎn)硅靶材的制備方法。本發(fā)明通過(guò)在硅旋轉(zhuǎn)靶材材料的硅中添加硼，并引進(jìn)新的生產(chǎn)工藝，得到的產(chǎn)品電阻率更低，結(jié)合強(qiáng)度高，極大的提高了產(chǎn)品性能，可廣泛用于液晶顯示玻璃鍍膜、光學(xué)鍍膜等領(lǐng)域，對(duì)行業(yè)的進(jìn)步有極大的推動(dòng)作用。