降低對(duì)存儲(chǔ)器接口性能影響的閃存錯(cuò)誤檢測(cè)方法及裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510017224.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN104615503B | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-10-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN104615503B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-10-30 |
| 分類(lèi)號(hào) | G06F11/10 | 分類(lèi) | 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù); |
| 發(fā)明人 | 黎智 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廣東省電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州粵高專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 廣東華晟數(shù)據(jù)固態(tài)存儲(chǔ)有限公司 |
| 地址 | 511458 廣東省廣州市南沙區(qū)進(jìn)港大道80號(hào)805房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種降低對(duì)存儲(chǔ)器接口性能影響的閃存錯(cuò)誤檢測(cè)方法及裝置。根據(jù)閃存各頁(yè)所在位置的物理特性，將一個(gè)塊中的頁(yè)按照ECC增長(zhǎng)的速度差異分到不同的組，在實(shí)際巡檢操作中，根據(jù)不同的組分配不同的巡檢周期，ECC增長(zhǎng)越快的頁(yè)面，巡檢周期越短，反之越長(zhǎng)。減小了Nand Flash閃存的接口性能壓力，即減小了對(duì)存儲(chǔ)器對(duì)外接口的性能影響。 |
