一種高反壓、大電流超高溫?zé)Y(jié)全包封玻璃鈍化二極管
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201920739922.2 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN209766433U | 公開(公告)日 | 2019-12-10 |
| 申請公布號 | CN209766433U | 申請公布日 | 2019-12-10 |
| 分類號 | H01L29/861(2006.01); H01L23/31(2006.01); H01L23/495(2006.01) | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 董珂 | 申請(專利權(quán))人 | 濟南固锝電子器件有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 濟南信達專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 濟南固锝電子器件有限公司 |
| 地址 | 250014 山東省濟南市高新開發(fā)區(qū)孫村片區(qū)科遠路1659號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型公開了一種高反壓、大電流超高溫?zé)Y(jié)全包封玻璃鈍化二極管,屬于半導(dǎo)體,本實用新型要解決的技術(shù)問題為如何能夠為充分發(fā)揮硅芯片的最高工作結(jié)溫以及提高器件的可靠性,同時降低成本,采用的技術(shù)方案為:其結(jié)構(gòu)包括引線框架和塑封體,所述引線框架上設(shè)置有對應(yīng)塑封體的芯片焊接位,芯片焊接位內(nèi)設(shè)置有二極管芯片單元,二極管芯片單元的外側(cè)設(shè)置有全包封玻璃鈍化層;二極管芯片單元的一面固定焊接在引線框架的芯片焊接位內(nèi),另一面連接有跳片且跳片延伸出全包封玻璃鈍化層;二極管芯片單元包括至少一個二極管芯片,二極管芯片的兩側(cè)對稱設(shè)置有鉬片,兩鉬片分別通過焊片與位于二極管芯片兩側(cè)的芯片焊接位和跳片焊接連接。 |





