一種采用GP工藝的低溫漂穩(wěn)壓二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821819150.5 申請日 -
公開（公告）號 CN209447792U 公開（公告）日 2019-09-27
申請公布號 CN209447792U 申請公布日 2019-09-27
分類號 H01L25/07（2006.01）I; H01L29/861（2006.01）I; H01L23/29（2006.01）I; H01L23/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 董珂 申請（專利權）人 濟南固锝電子器件有限公司
代理機構 濟南信達專利事務所有限公司 代理人 濟南固锝電子器件有限公司
地址 250101 山東省濟南市高新技術開發(fā)區(qū)孫村片區(qū)科遠路1659號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型屬于半導體功率器件電子技術領域，具體地說是一種采用GP工藝的低溫漂穩(wěn)壓二極管。該實用新型的采用GP工藝的低溫漂穩(wěn)壓二極管包括穩(wěn)壓芯片一、穩(wěn)壓芯片二和封裝層，穩(wěn)壓芯片一和穩(wěn)壓芯片二上均鍍有鋁膜，穩(wěn)壓芯片一的N區(qū)與穩(wěn)壓芯片二的N區(qū)通過所述鋁膜高溫焊接成一體，穩(wěn)壓芯片一的P區(qū)和穩(wěn)壓芯片二的P區(qū)分別連接有鉬粒層，兩鉬粒層分別通過焊片連接有引線，封裝層設于穩(wěn)壓芯片一、穩(wěn)壓芯片二、鉬粒層和焊片外，用于封裝穩(wěn)壓芯片一、穩(wěn)壓芯片二、鉬粒層和焊片。本實用新型的采用GP工藝的低溫漂穩(wěn)壓二極管結構設計合理，提高可靠性，具有良好的推廣應用價值。