一種MEMS薄膜半導(dǎo)體氣敏傳感器陣列識(shí)別方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011401931.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112557459A | 公開（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112557459A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-26 |
| 分類號(hào) | G16C20/20(2019.01)I;G01N27/12(2006.01)I;G16C20/70(2019.01)I;G01N33/00(2006.01)I;G06K9/62(2006.01)I | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 余岑;李如意;李東風(fēng);黃志華;劉紅恩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 安徽芯核防務(wù)裝備技術(shù)股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 231400安徽省合肥市高新區(qū)望江西路800號(hào)D8樓2034號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種MEMS薄膜半導(dǎo)體氣敏傳感器陣列識(shí)別方法，包括，已知物質(zhì)建模：使用傳感器陣列對(duì)第一類已知物質(zhì)進(jìn)行采樣，在所述第一類已知物質(zhì)的揮發(fā)氣體濃度逐步上升的過(guò)程中時(shí)刻，得到n個(gè)時(shí)刻的電導(dǎo)率變化向量集合；對(duì)所述電導(dǎo)率變化向量集合進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化得到標(biāo)準(zhǔn)化電導(dǎo)率變化向量集合，對(duì)所述標(biāo)準(zhǔn)化電導(dǎo)率變化向量集合進(jìn)行主元分析，獲取第一主成分向量；對(duì)所述k類已知物質(zhì)第一主成分向量進(jìn)行線性判別式分析，計(jì)算得到特征變換矩陣，獲得樣本類，存入特征數(shù)據(jù)庫(kù)中；未知物質(zhì)檢測(cè)：重復(fù)上述步驟，得到投影到特征空間的一個(gè)點(diǎn)td，計(jì)算td與所述特征數(shù)據(jù)庫(kù)中的樣本類均值的距離是否小于已有樣本聚類的分布直徑，判斷更接近哪一類氣體。?? |
