一種用于高能束加工的設(shè)備及二次電子探測方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110612421.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN113325017A | 公開(公告)日 | 2021-08-31 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113325017A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-31 |
| 分類號(hào) | G01N23/22(2018.01)I;G01N23/225(2018.01)I;B23K31/02(2006.01)I;B23K37/00(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
| 發(fā)明人 | 尹伊;于楠;徐方達(dá);秦劍;毛博陽;勇秋羽;支鏡任 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 蘇州融速智造科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州智品專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 豐葉 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市太倉市科教新城子岡路27號(hào)6號(hào)樓9樓901-6室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種用于高能束加工的設(shè)備,包括數(shù)控平臺(tái)和焊艙,數(shù)控平臺(tái)的上方架設(shè)有高能束發(fā)生器,高能束發(fā)生器的下端發(fā)射口處設(shè)有聚焦系統(tǒng),數(shù)控平臺(tái)上固定有下端二次電子收集器,下端二次電子收集器與高能束發(fā)生器之間設(shè)有上端二次電子收集器,上端二次電子收集器和下端二次電子收集器均設(shè)有多塊采集板和定值電阻,上端二次電子收集器和下端二次電子收集器均電性連接有示波器,示波器電性連接有控制器,控制器電性連接有顯示器,示波器和控制器均電性連接有電源。本發(fā)明的有益效果是:實(shí)現(xiàn)對(duì)加工工件上、下表面二次電子方向與分布的探測,判斷高能束能量密度強(qiáng)弱,保障加工過程的監(jiān)測,提高加工良品率,為實(shí)時(shí)控制高能束參數(shù)提供依據(jù)。 |





