一種物理氣相沉積源的移動(dòng)裝置及物理氣相沉積裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111080316.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113846293A 公開(kāi)（公告）日 2021-12-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113846293A 申請(qǐng)公布日 2021-12-28
分類號(hào) C23C14/22（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 宋永輝;王世寬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫尚積半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州京昀知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 段曉玲;顧友
地址 214135江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)長(zhǎng)江南路35-312號(hào)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種物理氣相沉積源的移動(dòng)裝置及物理氣相沉積裝置，涉及物理氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域。移動(dòng)裝置包括：第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)，與基座連接，用于帶動(dòng)所述基座在第一方向上往復(fù)移動(dòng)；第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)，與所述第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)連接，所述第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)用于帶動(dòng)所述第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)以及所述基座在第二方向上往復(fù)移動(dòng)，所述第一方向與所述第二方向?yàn)椴煌较?。本發(fā)明能夠避免增加或更換靶材后帶來(lái)的PVD SOURCE位置偏移，從而避免對(duì)PVD產(chǎn)品質(zhì)量的影響。