一種材料處理方法及設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111074839.6 申請日 -
公開(公告)號 CN113862626A 公開(公告)日 2021-12-31
申請公布號 CN113862626A 申請公布日 2021-12-31
分類號 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 宋永輝;王世寬 申請(專利權)人 無錫尚積半導體科技有限公司
代理機構 蘇州京昀知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 代理人 段曉玲;顧友
地址 214135江蘇省無錫市新吳區(qū)長江南路35-312號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種材料處理方法及設備,涉及材料技術領域。材料處理方法包括:將置于真空腔中的待處理材料移動至第一預設位置;采用所述加熱裝置對所述待處理材料進行加熱,所述加熱裝置位于所述真空腔內(nèi);將加熱完成后的所述待處理材料移動至第二預設位置;采用所述冷卻裝置對加熱完成后的所述待處理材料進行冷卻,所述冷卻裝置位于所述真空腔內(nèi)。本發(fā)明能夠實現(xiàn)在同一個真空腔內(nèi)對材料進行熱處理和冷處理,并能夠對熱處理后的材料快速降溫,以保證磁控濺射的成膜質量。