太陽(yáng)能電池及其制作工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810424254.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108682701A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN108682701A 申請(qǐng)公布日 2021-06-04
分類號(hào) H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔艷峰;袁聲召;張淳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 張家港協(xié)鑫集成科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 王樂(lè)
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港市楊舍鎮(zhèn)晨豐公路288號(hào)1-6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池及其制作工藝。所述太陽(yáng)能電池的硅片為N型單晶硅片或P型單晶硅片，所述硅片表面具有金字塔結(jié)構(gòu)絨面，所述硅片的正面和反面均具有電極和發(fā)射結(jié)，所述發(fā)射結(jié)由位于硅片表面的p+區(qū)和n+區(qū)所形成。同時(shí)本發(fā)明還公開(kāi)了上述太陽(yáng)能電池的制作工藝。上述太陽(yáng)能電池，由于其正面和反面都具有PN結(jié)，因此產(chǎn)生的光生載流子在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，迅速被收集起來(lái)，不需要穿過(guò)整個(gè)硅片襯底，這樣可以有效提高光電轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)避免了P型單多晶PERC電池、以及Al?BSF電池所存在的熱衰減現(xiàn)象。并且，由于具有雙面發(fā)射結(jié)的特點(diǎn)，在實(shí)際發(fā)電過(guò)程中，一天中會(huì)有兩次峰值輸出，具有更高的發(fā)電量，顯著降低了發(fā)電成本。