一種壞點(diǎn)遮蓋方法和系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410631943.4 申請日 -
公開（公告）號 CN104333676B 公開（公告）日 2019-06-21
申請公布號 CN104333676B 申請公布日 2019-06-21
分類號 H04N5/21（2006.01）I; H04N17/00（2006.01）I 分類 電通信技術(shù);
發(fā)明人 任立; 李國新; 吳大斌 申請（專利權(quán)）人 北京中星微人工智能芯片技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京布瑞知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 廣東中星微電子有限公司
地址 519031 廣東省珠海市橫琴新區(qū)寶華路6號105室-15070
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例提供一種壞點(diǎn)遮蓋方法和系統(tǒng)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于芯片內(nèi)SRAM的大小有限，而使得壞點(diǎn)表存儲受限，以及芯片制造成本增加的問題。該壞點(diǎn)遮蓋方法包括：將壞點(diǎn)表存儲在芯片外部存儲器；從所述芯片外部存儲器中讀取所述壞點(diǎn)表中的壞點(diǎn)坐標(biāo)存入芯片內(nèi)部存儲器；根據(jù)所述芯片內(nèi)部存儲器中存儲的壞點(diǎn)坐標(biāo)，對落入所述壞點(diǎn)坐標(biāo)的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行遮蓋處理；清除所述芯片內(nèi)部存儲器中已完成遮蓋處理的壞點(diǎn)坐標(biāo)；繼續(xù)從所述芯片外部存儲器中讀取壞點(diǎn)坐標(biāo)存入所述芯片內(nèi)部存儲器已清除的存儲空間。