一種氮化鎵基發(fā)光二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410093932.5 申請日 -
公開（公告）號 CN103824915A 公開（公告）日 2014-05-28
申請公布號 CN103824915A 申請公布日 2014-05-28
分類號 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/24(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 閆發(fā)旺;白俊春;汪英杰 申請（專利權）人 華延芯光（北京）科技有限公司
代理機構 北京權泰知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 華延芯光（北京）科技有限公司
地址 100176 北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)宏達北路12號A813室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種氮化鎵基發(fā)光二極管，其從下到上依次包括以下各層：藍寶石襯底1；氮化鎵層2，其作為緩沖層；非摻雜氮化鎵層3；n型導電氮化鎵層4；表面粗化不平的氮化鋁硅層5；氮化銦鎵/氮化鎵多量子阱層6；和p型氮化鎵層7。本發(fā)明還提供了上述氮化鎵基發(fā)光二極管的制備方法。