一種NLDMOS器件及制備方法、芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210014429.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114050181B 公開(kāi)（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN114050181B 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類(lèi)號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙東艷;王于波;鄧永峰;陳燕寧;付振;劉芳;余山;吳波;郁文;王凱;劉倩倩 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京芯可鑒科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高英英
地址 102200北京市昌平區(qū)雙營(yíng)西路79號(hào)院中科云谷園11號(hào)樓一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例提供一種NLDMOS器件及制備方法、芯片，所述NLDMOS器件包括：襯底，所述襯底上方設(shè)有第一高壓N阱區(qū)和第二高壓N阱區(qū)，所述第一高壓N阱區(qū)和第二高壓N阱區(qū)之間留有襯底間隙；所述第一高壓N阱區(qū)和第二高壓N阱區(qū)上設(shè)有P型降低電場(chǎng)區(qū)，所述P型降低電場(chǎng)區(qū)經(jīng)過(guò)所述襯底間隙；所述第一高壓N阱區(qū)上還設(shè)有P型體區(qū)，所述第二高壓N阱區(qū)上設(shè)有N型漂移區(qū)；所述P型體區(qū)、襯底間隙以及N型漂移區(qū)形成PIN結(jié)。所述NLDMOS器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有效的提高了擊穿電壓。