AlN單晶薄膜生長(zhǎng)方法及具有該薄膜的聲表面波諧振器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010954072.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112038217A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN112038217A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類(lèi)號(hào) H01L21/02 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 李紅浪;柯亞兵;其他發(fā)明人請(qǐng)求不公開(kāi)姓名 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 廣東省廣納科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 張?chǎng)?/td>
地址 510700 廣東省廣州市黃埔區(qū)開(kāi)源大道136號(hào)D棟1004室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種AlN單晶薄膜的生長(zhǎng)方法，在硅酸鎵鑭類(lèi)單晶上生長(zhǎng)AlN單晶薄膜，所述硅酸鎵鑭類(lèi)單晶的取向相對(duì)于AlN單晶薄膜的[002]晶向的偏差角度在0°至27°范圍內(nèi)。該方法顯著提高沉積的AlN單晶薄膜的質(zhì)量，提高單晶衍射峰的半高寬和薄膜的均勻一致性，有利于提高器件的性能。