一種GaAs基多結紅光激光器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910542284.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112117641B 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN112117641B 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01S5/323（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李志虎;張新;朱振;于軍 申請（專利權）人 山東華光光電子股份有限公司
代理機構 北京華際知識產權代理有限公司 代理人 張文杰
地址 250101山東省濟南市高新區(qū)天辰大街1835號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種GaAs基多結紅光激光器及其制備方法，所述激光器包括GaAs襯底，所述GaAs襯底上自下而上依次生長有GaAs低溫緩沖層、第一激光節(jié)、GaInP腐蝕阻擋層和第一GaAs帽層，所述第一激光節(jié)、GaInP腐蝕阻擋層生長有若干個發(fā)光層；所述發(fā)光層自下而上包括若干個隧道結和第二激光節(jié)，所述最接近第一激光節(jié)的隧道結在第一激光節(jié)上生長，所述第二激光節(jié)在隧道結上生長；本發(fā)明不僅通過隧道結的設計實現了多節(jié)激光材料的生長，在較小的電流下獲得較大的輸出功率，提高了激光器的發(fā)光功率；同時由于AlInP上限制層、第二GaAs帽層之間的界面寬帶不連續(xù)，本技術方案引入了（AlxGa1?x）yIn1?P晶格過渡層，降低電壓，提高器件的可靠性和壽命，具有較高的實用性。y