一種650nm垂直腔面激光器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910934215.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112582877B 公開（公告）日 2021-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN112582877B 申請(qǐng)公布日 2021-10-01
分類號(hào) H01S5/183（2006.01）I;H01S5/187（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于軍;張雨;張新;鄧桃;朱振 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山東華光光電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張文杰
地址 250101山東省濟(jì)南市高新區(qū)天辰大街1835號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種650nm垂直腔面激光器及其制備方法，所述激光器包括GaAs襯底，所述GaAs襯底表面自下而上依次生長GaAs緩沖層、N型DBR層、AlxGa1?xInP下波導(dǎo)層、量子阱、AlxGa1?xInP上波導(dǎo)層、P型DBR層、GaAs窗口層；所述N型DBR層自下而上包括低反射率AlxGa1?xInP/AlInP DBR層、高反射率Al1?xGa1?xInP/AlInP DBR層，所述低反射率Al1?xGa1?xInP/AlInP DBR層在GaAs緩沖層上生長，所述Al1?xGa1?xInP下波導(dǎo)層在高反射率Al1?xGa1?xInP/AlInP DBR層上生長。本發(fā)明公開了一種650nm垂直腔面激光器及其制備方法，工藝設(shè)計(jì)合理，操作簡(jiǎn)單，不僅有效解決了原有的激光器材料易氧化，激光器可靠性差的問題，同時(shí)還通過高低不同反射率的DBR層堆疊，實(shí)現(xiàn)光子的最大行程反射，提高了有源區(qū)復(fù)合效率，增加激光器功率，具有較高的實(shí)用性。1?x