一種基于漸變波導(dǎo)層的小功率激光器及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910758929.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112398002B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112398002B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01S5/34（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉飛;朱振;張新;于軍;張東東 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 山東華光光電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 趙龍群 |
| 地址 | 250101山東省濟(jì)南市歷下區(qū)高新區(qū)天辰大街1835號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種基于漸變波導(dǎo)層的小功率激光器及其制備方法，激光器中（Al1?x3Gax3）y1In1?y1P下限制層和（Al1?x5Gax3）y1In1?y1P下波導(dǎo)層之間設(shè)置有（Al1?x4Gax3）y1In1?y1P組分漸變下波導(dǎo)層；（Al1?x10Gax3）y1In1?y1P上波導(dǎo)層和Al1?In1?y1P上限制層之間設(shè)置有（Alx12Gax3）y1In1?y1P組分漸變上波導(dǎo)層。本發(fā)明采用半漸變半穩(wěn)定非對(duì)稱(chēng)寬波導(dǎo)結(jié)構(gòu)降低波導(dǎo)層與限制層界面的勢(shì)壘尖峰，保證量子阱發(fā)光區(qū)穩(wěn)定生長(zhǎng)；減少空穴對(duì)光的吸收，提高發(fā)光效率。1?y7 |
