低電容高速傳輸半導體浪涌保護器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110117873.7 申請日 -
公開（公告）號 CN102769026A 公開（公告）日 2012-11-07
申請公布號 CN102769026A 申請公布日 2012-11-07
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I;H02H9/04(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖志良 申請（專利權）人 江蘇錦豐電子有限公司
代理機構 南京天華專利代理有限責任公司 代理人 夏平
地址 214205 江蘇省無錫市宜興環(huán)?？萍脊I(yè)園綠園路508號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種低電容高速傳輸半導體浪涌保護器件，PN結為扁平PN結平衡結；半導體浪涌保護器件的發(fā)射區(qū)分兩次注入；的P-區(qū)的厚度加深10％-20％；N-區(qū)的厚度減薄10-20％；N+襯底為雙面拋光的硅片，片厚200-300μm，電阻率為20-22％。本發(fā)明采用扃平PN結平衡結結構，改善電流密度分布。采用加深P-區(qū)厚度、發(fā)射區(qū)兩次注入、場板等技術提高了控制管EB結反向擊穿電壓，解決了EB結反向擊穿電壓與β的矛盾：通過對四重結構晶閘管的NPN的β的控制，解決了維持電流及轉折電流的控制問題：通過降低接觸電壓、減薄N-區(qū)、提高少子壽命。