具有肖特基金屬結(jié)的半導(dǎo)體裝置及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911171044.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110931569A 公開（公告）日 2020-03-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN110931569A 申請(qǐng)公布日 2020-03-27
分類號(hào) H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 單亞東;謝剛;胡丹;李武華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市精英專利事務(wù)所 代理人 廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道松坪山新西路7號(hào)蘭光科技大廈B209
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有肖特基金屬結(jié)的半導(dǎo)體裝置及其制作方法，所述半導(dǎo)體裝置包括襯底以及形成于襯底表面的外延層，所述外延層上設(shè)有多個(gè)溝槽，每一溝槽內(nèi)填充有多晶硅，且所述多晶硅與溝槽之間形成有柵氧化層，該多晶硅上表面形成有第一金屬層，所述外延層與多晶硅相鄰的上表面處形成有第二金屬層，且該外延層上表面還形成有所述第一金屬層，所述第二金屬層和外延層形成的肖特基勢(shì)壘與第一金屬層和外延層形成的肖特基勢(shì)壘大小不同。本發(fā)明采用兩種不同的勢(shì)壘金屬作為肖特基接觸，器件反向阻擋時(shí)，利用高勢(shì)壘的肖特基金屬對(duì)低勢(shì)壘肖特基金屬的電場(chǎng)屏蔽作用降低肖特基勢(shì)壘電流，器件正向?qū)〞r(shí)，器件因低勢(shì)壘肖特基金屬具有較低的導(dǎo)通壓降。