一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011271903.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112234105A | 公開（公告）日 | 2021-01-15 |
| 申請公布號(hào) | CN112234105A | 申請公布日 | 2021-01-15 |
| 分類號(hào) | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 單亞東;謝剛 | 申請（專利權(quán)）人 | 廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市精英專利事務(wù)所 | 代理人 | 廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技園社區(qū)科智西路5號(hào)科苑西25棟A609 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置，包括：襯底；外延層，形成于襯底表面，所述外延層的上部形成有溝槽，所述溝槽包括至少一位于有源區(qū)的第一溝槽和多個(gè)位于終端區(qū)的第二溝槽，多個(gè)所述第二溝槽之間形成有多個(gè)二氧化硅臺(tái)面結(jié)構(gòu)；二氧化硅氧化層，形成于所述第二溝槽底部和側(cè)壁；硅介質(zhì)層，形成于第二溝槽內(nèi)，并覆蓋在二氧化硅氧化層上；多晶硅，填充于所述第一溝槽內(nèi)；柵氧化層，形成于所述多晶硅與第一溝槽之間；鈍化層，形成于所述終端區(qū)的外延層表面上；金屬層，形成于所述有源區(qū)的外延層及鈍化層表面上。同時(shí)本發(fā)明還公開一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。?? |
