一種整流半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022078290.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213071112U 公開（公告）日 2021-04-27
申請公布號 CN213071112U 申請公布日 2021-04-27
分類號 H01L23/367;H01L23/373;H01L23/49;H01L25/11 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陸新城;代勇敏;段花山 申請（專利權(quán)）人 山東晶導(dǎo)微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京維昊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李波;孫新國
地址 273100 山東省濟(jì)寧市曲阜市春秋東路166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種整流半導(dǎo)體器件。該器件包括第一到第四共四個(gè)金屬基片、兩個(gè)第一芯片和兩個(gè)第二芯片、金屬跳線和塑封體，其中：第一和第二金屬基片的底部均為平面無凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，并且分別向外延伸至塑封體外部以形成兩直流輸出端，第三和第四金屬基片設(shè)置在塑封體內(nèi)并且向外延伸至所述塑封體外部以形成兩交流輸入端，第一芯片采用N型襯底GPP芯片，而第二芯片采用P型襯底GPP芯片，其中一個(gè)第一芯片的P極和一個(gè)第二芯片的N極分別通過金屬跳線連接到第三金屬基片，而另一個(gè)第一芯片的P極和另一個(gè)第二芯片的N極分別通過金屬跳線連接到第四金屬基片。本發(fā)明的方案增加了芯片和銅片的表面接觸效果，提高了通電和散熱效率。