半導(dǎo)體分立器件快恢復(fù)芯片的電泳工藝制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110986211.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113611607A | 公開（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113611607A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-05 |
| 分類號(hào) | H01L21/329（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陸新城;孔凡偉;婁燕燕;王秀錦 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 山東晶導(dǎo)微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 濟(jì)寧匯景知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 茍莎 |
| 地址 | 273100山東省濟(jì)寧市曲阜市春秋東路166號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體分立器件快恢復(fù)芯片的電泳工藝制造方法，屬于快恢復(fù)芯片生產(chǎn)領(lǐng)域，其特征在于，首先對(duì)晶圓進(jìn)行清洗，保證其表面潔凈，然后采用低溫化學(xué)氣相沉積法在晶圓表面形成一層氧化隔離膜，膜厚在＞6000埃；再依次經(jīng)光刻、溝槽蝕刻、電泳法玻璃鈍化、金屬化制得快恢復(fù)芯片；本發(fā)明在晶圓表面形成一層致密的隔離膜，通過(guò)把控氧化溫度及時(shí)間保證其隔離膜能有效的保阻斷鈍化時(shí)玻璃粉在臺(tái)面上的沉積，同時(shí)又保證產(chǎn)品TRR不受溫度影響，確保產(chǎn)品的一致性，實(shí)現(xiàn)快恢復(fù)芯片的規(guī)?；a(chǎn)。 |
