一種去除硅片化學(xué)鍍鎳表面鎳的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111394638.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114032549A 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN114032549A 申請公布日 2022-02-11
分類號 C23F1/28（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 馬建建;陸新城;李智勇;江超 申請（專利權(quán)）人 山東晶導(dǎo)微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 濟寧匯景知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 茍莎
地址 273100山東省濟寧市曲阜市春秋東路166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種去除硅片化學(xué)鍍鎳表面鎳的方法，屬于半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)領(lǐng)域，其特征在于，將經(jīng)化學(xué)鍍鎳、鎳燒結(jié)后的硅片放入混酸中在46?50℃下進行清洗；其中，所述混酸采用36?38%的鹽酸溶液、69?71%的硝酸溶液、純水的混合物；本發(fā)明通過特定比例的鹽酸、硝酸、純水的混合物來替代現(xiàn)有技術(shù)的濃硝酸進行硅片表面化學(xué)鍍鎳的清洗，使其在48℃左右即可發(fā)揮良好的清洗效果，清洗時間由現(xiàn)有技術(shù)的120s降至90s，即可達到良好的清洗效果，而且很好地解決了形成酸霧的問題。