熔體法生長碳化硅單晶用碳源供應(yīng)裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010776039.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111676516A | 公開（公告）日 | 2020-09-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111676516A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-18 |
| 分類號(hào) | C30B29/36(2006.01)I;C30B11/10(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 鄭紅軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 常州臻晶半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 鄭紅軍;中科臻晶（無錫）半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 100000北京市海淀區(qū)稻香園3號(hào)樓3單元401 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及碳化硅晶體生長裝置領(lǐng)域，具體而言，涉及一種熔體法生長碳化硅單晶用碳源供應(yīng)裝置。熔體法生長碳化硅單晶用碳源供應(yīng)裝置包括坩堝本體和碳源塊；所述坩堝本體內(nèi)設(shè)置有熔體；所述碳源塊放置在所述坩堝本體的內(nèi)部的底部，且被所述熔體覆蓋，所述熔體用于將所述碳源塊溶解為碳化硅晶體生長所需的碳源。本發(fā)明的有益效果是：通過在坩堝本體內(nèi)的底部放置碳源塊，熔體覆蓋碳源塊，能夠使碳源塊進(jìn)行充分溶解，進(jìn)而通過碳源塊給碳化硅晶體生長提供穩(wěn)定的、足夠的碳源，形成穩(wěn)定的碳供應(yīng)。?? |
