太陽(yáng)能芯片的制備方法及太陽(yáng)能芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910499757.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112071948A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112071948A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-11 |
| 分類號(hào) | H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李凱翔;潘世榮;楊發(fā)維 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 領(lǐng)凡新能源科技（北京）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京智晨知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 領(lǐng)凡新能源科技（北京）有限公司 |
| 地址 | 101407北京市懷柔區(qū)雁棲經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)樂(lè)園大街38號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池制備技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種太陽(yáng)能芯片的制備方法，包括提供一基底，在所述基底上沉積阻擋層；在所述阻擋層上沉積第一鉬膜層作為第一背電極層；在所述第一背電極層上沉積鉬鈉膜層作為第二背電極層；在所述第二背電極層上沉積第二鉬膜層作為界面層；其中，在沉積所述第一背電極層和第二背電極層時(shí)通入目標(biāo)流量的氧氣以形成背電極層。本發(fā)明還公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池，其通過(guò)控制目標(biāo)氧氣比氬氣比例增加了太陽(yáng)能電池的電導(dǎo)率，提高了太陽(yáng)能電池的各項(xiàng)性能。?? |
