一種多晶硅薄膜低溫物理氣相沉積裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810569454.9 申請日 -
公開（公告）號 CN108531880B 公開（公告）日 2019-12-03
申請公布號 CN108531880B 申請公布日 2019-12-03
分類號 C23C14/50 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 汪玉潔 申請（專利權）人 百力達太陽能股份有限公司
代理機構 北京華識知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 浙江華力管業(yè)有限公司;百力達太陽能股份有限公司
地址 314500 浙江省嘉興市桐鄉(xiāng)市河山鎮(zhèn)長華路88號1幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多晶硅薄膜低溫物理氣相沉積裝置，包括機體、安裝架和支撐桿，所述機體的頂部固定有氣缸，且氣缸的一端連接有推桿，所述推桿上安裝有固定箱，且固定箱位于機體內(nèi)，所述固定箱內(nèi)設置有電機，所述安裝架安裝于沉積板內(nèi)，所述夾塊的內(nèi)側(cè)安裝有彈簧，且彈簧的一端連接有卡塊，所述支撐桿固定于沉積板的一側(cè)，且支撐桿上安裝有滑塊，所述機體的內(nèi)側(cè)開設有凹槽，且凹槽內(nèi)連接有滑塊，所述機體內(nèi)固定有靶材，且靶材位于沉積板的一側(cè)。該多晶硅薄膜低溫物理氣相沉積用固定裝置，通過設置的氣缸和電機，使得多晶硅薄膜的沉積更均勻，可以進行雙面沉積，同時可以同時處理多個多晶硅薄膜，提高了沉積效率。