一種碳膜輔助的太陽能選擇性吸收膜系及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210507208.3 申請日 -
公開（公告）號 CN103017384B 公開（公告）日 2014-10-15
申請公布號 CN103017384B 申請公布日 2014-10-15
分類號 F24J2/48(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I 分類 供熱；爐灶；通風;
發(fā)明人 陸衛(wèi);陳飛良;王少偉;俞立明;劉星星;郭少令;陳效雙;王曉芳 申請（專利權(quán)）人 上海德福光電技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 上海新天專利代理有限公司 代理人 中國科學院上海技術(shù)物理研究所;上海德福光電技術(shù)有限公司
地址 200083 上海市虹口區(qū)玉田路500號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳膜輔助的太陽能選擇性吸收膜系及其制備方法。該碳膜輔助的太陽能選擇性吸收膜系包括鍍制在金屬襯底上的氮氧化鈦薄膜、無定形碳薄膜、氮化硅薄膜、二氧化硅薄膜。本發(fā)明通過引入無定形碳膜，使得吸收膜系的太陽能吸收率高達98.0%，發(fā)射率可低至2.3%，具有極高的光熱轉(zhuǎn)換效率和集熱效率，優(yōu)于現(xiàn)有國際先進水平，可廣泛應(yīng)用于各種太陽能光熱轉(zhuǎn)換器中。與常規(guī)平板集熱器吸熱膜相比，加入無定形碳輔助吸熱膜之后，可進一步提高膜系的太陽能吸收率，同時保持極低的發(fā)射率。本發(fā)明的吸收膜系可通過工業(yè)化磁控濺射制備方法在大面積襯底上連續(xù)鍍制，實現(xiàn)低成本高效生產(chǎn)。