一種單晶硅片表面微納米復合結構的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210359610.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114686989A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114686989A 申請公布日 2022-07-01
分類號 C30B33/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王冰;潘連勝;商劍;何翠翠;秦朗;齊錦剛;趙作福;劉亮 申請（專利權）人 遼寧工業(yè)大學
代理機構 北京遠大卓悅知識產權代理有限公司 代理人 -
地址 121001遼寧省錦州市太和區(qū)解放西路94號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單晶硅片表面微納米復合結構的制備方法，包括：步驟一、將單晶硅片進行清洗；步驟二、對所述單晶硅片進行表面去損傷；步驟三、將所述單晶硅片放入質量分數為3.5％的NaOH溶液和體積分數為5％的正丁醇的混合溶液中，75℃水浴40min后，沖洗；步驟四、將所述單晶硅片放入質量分數為40％的H2O2、質量分數為35％的HF溶液和1.4g Cu（NO3）2的混合溶液中，45℃水浴60min后，清洗；步驟五、將所述單晶硅片放入質量分數為5％的NH4OH和質量分數為5％的H2O2的混合溶液中，25℃水浴2min，清洗后獲得表面帶有微納米復合結構的單晶硅片。本發(fā)明具有降低單晶硅片表面反射率的特點。