一種碳化硅單晶及其PVT法生產(chǎn)方法和應(yīng)用
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010664355.6 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111926385B | 公開（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請公布號(hào) | CN111926385B | 申請公布日 | 2022-03-01 |
| 分類號(hào) | C30B23/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 方帥;高超;高宇晗;宗艷民 | 申請（專利權(quán)）人 | 山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京君慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 王振南 |
| 地址 | 250118 山東省濟(jì)南市槐蔭區(qū)天岳南路99號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請公開了一種碳化硅單晶及其PVT法生產(chǎn)方法和應(yīng)用，屬于碳化硅單晶生產(chǎn)工藝領(lǐng)域。所述方法包括在碳化硅長晶用坩堝內(nèi)進(jìn)行PVT法生產(chǎn)碳化硅單晶的步驟，所述PVT法生產(chǎn)碳化硅單晶時(shí)，在所述坩堝外周設(shè)熱輻射反射裝置，所述熱輻射反射裝置的熱輻射反射鏡面將所述坩堝散發(fā)的熱量反射至所述坩堝。試驗(yàn)證明，所述方法可以降低碳化硅長晶所用的加熱功率，節(jié)約電能和長晶成本，同時(shí)還可以降低碳化硅晶體出現(xiàn)晶體多型或微管等缺陷，提高良品率；由于使用熱輻射反射裝置后熱量主要反射回坩堝處，向外傳導(dǎo)的熱量很少，不需要對PVT法生產(chǎn)碳化硅單晶的裝置外部進(jìn)行降溫，取代了長晶裝置外的循環(huán)水或進(jìn)出風(fēng)口的冷卻方式，提高了長晶環(huán)境的穩(wěn)定性。 |
